Joystick inalámbrico universal (db9)

Proyectos de hardware con sus esquemáticos y si llevan software en fuente

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Aquí solo tienen cabida proyectos de hardware que incluyan siempre al menos sus esquemáticos para poder reproducirlos si llevan componentes electrónicos, y si es posible los ficheros del programa en que se hacen, los diseños de las placas, los gerber, etc. Si llevan algún tipo de software asociado debe estar diponible el código fuente

Para los que no cumplen estas condiciones se debe postear en el foro de proyectos generales.
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Scooter !!Va-de-Retro
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Re: Joystick inalámbrico universal (db9)

Mensaje por Scooter »

Pues es verdad que 6V frente a 5V va un poco justo. No se me había ocurrido mirar eso porque nunca los uso al revés.
Yo creo que debería de ser suficiente teniendo en cuenta que no están conectados directamente VCC ni a una salida totem-pole, están conectados a una resistencia de pullup con bastantes ohmios.
Hay más optoacopladores similares en tamaño con otras características, algunas muy interesantes.
Yo uso bastante el 814 que es de alterna pero por el lado del diodo; lleva dos emisores en antiparalelo.
Solo se que no se nada (algunos no saben eso)
Jason_rg
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Re: Joystick inalámbrico universal (db9)

Mensaje por Jason_rg »

dandare escribió:
Scooter escribió: 02 Abr 2018, 17:57 Ahí está el tema. Puede que unos optotriacs no se ceben y otros si. O puede depender del ordenador. Sí se ceba ese interruptor de queda activado para siempre, hasta que desconectes el interface o el ordenador.

Hace tiempo que no busco optofets , hace años solo encontré un par de modelos. Espero que el panorama haya mejorado.

De todos modos a lo mejor sale más barato pillar un pack de pc817 que son pequeños (4 pines) y baratos, (muy baratos), y poner un transistor en cada sentido.
Yo compré 50 en DC.com por una miseria.
En AliExpress están 100 pc817 por 2€ más o menos.
Realmente, un triac en modo latch, se desconecta si deja de pasar una corriente determinada (en el caso de los que uso es poca) por el triac. En la prueba del CPC no tengo problema de latching, tengo problema de Z aparente y que el 8912 tiene unos pull-ups demasiado fuertes, haciendo un divisor de tensión "feo". Como paso por dos unidades ópticas para cada dirección, si una es un optoacoplador y otra un optotriac funciona correctamente.

Gracias por la sugerencia de los 817, lo he comentado unos posts atrás, los optoacopladores normales, como los que dices, tienen una BVeco de 6v, por lo que ponerlos al revés con 5v me parece algo justo.
Hola Dandare

Enhorabuena por el proyecto.
Tiene muy buena pinta. Vaya nivel!!

Si sale una tirada ponme uno por favor. :)

Saludos

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Re: Joystick inalámbrico universal (db9)

Mensaje por javu61 »

Pregunta ¿no hubiese sido mas sencillo usar un sencillo foto-diodo y un MOSFET para manejar las señales?, así no tendrías problemas con las cargas. Es mas, ya que no se manejan voltajes ni cargas tan elevadas en los joystick podrías usar directamente el transistor.
Larga vida y prosperidad \\//_
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Re: Joystick inalámbrico universal (db9)

Mensaje por dandare »

javu61 escribió: 03 Abr 2018, 10:32 Pregunta ¿no hubiese sido mas sencillo usar un sencillo foto-diodo y un MOSFET para manejar las señales?, así no tendrías problemas con las cargas. Es mas, ya que no se manejan voltajes ni cargas tan elevadas en los joystick podrías usar directamente el transistor.
Todo el problema estriba, en particular, en la falta de referencia del Spectrum +2 y el CPC. Ante esta situación sólo podemos trabajar con sistemas ópticos o relés.
Cualquier otro elemento electrónico, un mosfet, un transistor, o, simplemente poner los niveles 0 y 1 desde el PIC, que es lo más fácil (y lo que hace el prototipo que hicimos en RetroParla), es imposible al no tener una masa común.

No se puede usar un transistor de un optoacoplador por transistor porque las tensiones pueden ser en un sentido o en el otro. Por ejemplo en estos mismos sistemas que comentaba. El SJS1 tiene la línea común a 5v y el CPC a 0v.
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Re: Joystick inalámbrico universal (db9)

Mensaje por Scooter »

Hace días que le daba vueltas a una maldad y la acabo de probar y funciona.

El transitor del PC 817 funciona "al revés" también.
A fin de cuentas un transistor NPN es bastante simétrico, en realidad no del todo porque las zonas N, P y N no son constructivamente simétricas, pero si que son N, P y N.

Resumiendo, que lo he probado con un arduino y el transistor activa el pin igual si lo pones al revés.
Supongo que dependerá de como sea la resistencia de pullup, yo lo he probado con la internal pullup y va igual poniendo el emisor a negativo con el colector en el pin que poniendo el colector a negativo con el emisor en el pin.
Así que al menos en algunos casos el optoacoplador es "de alterna" por el lado del optotransistor.

Prueba a ver si va con distintos equipos y con distintas resistencias de pullup.
Si funciona tendrías un circuito mucho mas pequeño y mucho mas barato.
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Re: Joystick inalámbrico universal (db9)

Mensaje por dandare »

Lo más probable si metes corriente inversa a un transistor es que te lo acabes cargando con el tiempo.
Me ha gustado especialmente esta explicación de qué pasa exactamente:
In BJTs, charge-carriers are able to cross the reverse-biased CB junction because those charge-carriers have been placed in the "wrong" side.

Normal diode: the n-doped side is full of free electrons, while the p-doped side is full of mobile conduction-band vacancies (holes.) A forward bias will produce e-fields which force the two populations together, turning the diode "on." A reverse-bias voltage will pull them away from each other, forming a potential barrier and turning the diode "off."
Transistor CB diode: the p-doped base is full of free electrons! That's backwards. If they remain there for long, they'll quickly fall into holes, which ends up producing an EB base current. However, if first they wander too close to the CB junction because of thermal diffusion, they'll be gripped by the large e-field within the depletion layer, and violently attracted into the n-doped collector region. (Fast charge-carriers crossing a large potential, that heats up the transistor because of Ic x Vcb.)
(That example was for NPN. For a PNP transistor, we reverse the carrier polarities, where free holes have been deposited in the n-doped base, and they tend to wander too close to the CB junction and get violently flung into the p-doped collector region.)

Conclusion: diodes don't work normally if we somehow moved some of the n-side charge-carriers over into the p-side, or vice-versa. The extremely thin base-region in BJTs allows this to happen. In that case, a diode starts working backwards, and its reverse-bias voltage causes increased current, not decreased current. Yet at the same time it also works normally, with the reversed junction preventing the free electrons of the Collector region from flooding into the Base region.

Notice that the out-of-place carriers can easily pass through the depletion layer. The depletion layer was never actually an insulator; it doesn't pin charges in place like rubber or plastics do. Instead it was more like a vacuum region, with the intense e-field repelling the usual carriers, keeping them on their proper side.

But when we have out-of-place charge carriers in the diode, that e-field in the reverse-biased depletion layer no longer behaves like a potential barrier. Instead it becomes a particle-gun. (Heh, see, the NPN transistors can be viewed as triode vacuum-tubes! Depletion regions are the vacuum, and doped silicon forms the electrodes. Of course the Base must be very thin, because it acts like a perforated grid electrode!)
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Re: Joystick inalámbrico universal (db9)

Mensaje por Scooter »

dandare escribió:Lo más probable si metes corriente inversa a un transistor es que te lo acabes cargando con el tiempo.
Me ha gustado especialmente esta explicación de qué pasa exactamente:
In BJTs, charge-carriers are able to cross the reverse-biased CB junction because those charge-carriers have been placed in the "wrong" side.

Normal diode: the n-doped side is full of free electrons, while the p-doped side is full of mobile conduction-band vacancies (holes.) A forward bias will produce e-fields which force the two populations together, turning the diode "on." A reverse-bias voltage will pull them away from each other, forming a potential barrier and turning the diode "off."
Transistor CB diode: the p-doped base is full of free electrons! That's backwards. If they remain there for long, they'll quickly fall into holes, which ends up producing an EB base current. However, if first they wander too close to the CB junction because of thermal diffusion, they'll be gripped by the large e-field within the depletion layer, and violently attracted into the n-doped collector region. (Fast charge-carriers crossing a large potential, that heats up the transistor because of Ic x Vcb.)
(That example was for NPN. For a PNP transistor, we reverse the carrier polarities, where free holes have been deposited in the n-doped base, and they tend to wander too close to the CB junction and get violently flung into the p-doped collector region.)

Conclusion: diodes don't work normally if we somehow moved some of the n-side charge-carriers over into the p-side, or vice-versa. The extremely thin base-region in BJTs allows this to happen. In that case, a diode starts working backwards, and its reverse-bias voltage causes increased current, not decreased current. Yet at the same time it also works normally, with the reversed junction preventing the free electrons of the Collector region from flooding into the Base region.

Notice that the out-of-place carriers can easily pass through the depletion layer. The depletion layer was never actually an insulator; it doesn't pin charges in place like rubber or plastics do. Instead it was more like a vacuum region, with the intense e-field repelling the usual carriers, keeping them on their proper side.

But when we have out-of-place charge carriers in the diode, that e-field in the reverse-biased depletion layer no longer behaves like a potential barrier. Instead it becomes a particle-gun. (Heh, see, the NPN transistors can be viewed as triode vacuum-tubes! Depletion regions are the vacuum, and doped silicon forms the electrodes. Of course the Base must be very thin, because it acts like a perforated grid electrode!)
Seguramente.
Sí se pudiera usar con normalidad serían "declarados bidireccionales". Supongo que ese uso será "con muchos peros", baja corriente etc. De todos modos voy a machacarlos al revés a ver qué pasa. Sí rompo un par no pierdo nada y si son confiables me vienen bien para ciertas paranoias que tengo en mente... En varias ocasiones he necesitado optoacopladores reversibles. No era relacionado con el mundo retro.
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Re: Joystick inalámbrico universal (db9)

Mensaje por dandare »

Pues tienes razón. Comparte los resultados por favor y gracias por hacer las pruebas! :-]
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Re: Joystick inalámbrico universal (db9)

Mensaje por Scooter »

Acabo de caer en como probarlo .
Voy a hacer un programa en el Arduino que apague y encienda a 1Hz y lo lea por otro pin, y lo dejo así un par de días a ver si peta.
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Re: Joystick inalámbrico universal (db9)

Mensaje por dandare »

Scooter escribió: 11 Abr 2018, 18:20 Acabo de caer en como probarlo .
Voy a hacer un programa en el Arduino que apague y encienda a 1Hz y lo lea por otro pin, y lo dejo así un par de días a ver si peta.
Genial, ya nos cuentas. Si puedes medir en algún momento la caída de tensión ... (tal vez leyendo con adc en lugar de digital)....
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