Va de Retro DRAM tester [v2.00]

Proyectos de hardware con sus esquemáticos y si llevan software en fuente

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Aquí solo tienen cabida proyectos de hardware que incluyan siempre al menos sus esquemáticos para poder reproducirlos si llevan componentes electrónicos, y si es posible los ficheros del programa en que se hacen, los diseños de las placas, los gerber, etc. Si llevan algún tipo de software asociado debe estar diponible el código fuente

Para los que no cumplen estas condiciones se debe postear en el foro de proyectos generales.
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Re: Test de Memorias 4116, 4164 y 41464 - NEWS

Mensaje por cacharreo »

Autor: cacharreo
Fecha de publicación original: 21 Sep 2022, 19:51
Completados los 400 tests pasados con la TMS4116-15NL (@Gomas48K#7) y otros 100 tests pasados con la KM4164B-15 (@issalig#A).
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Re: Test de Memorias 4116, 4164 y 41464 - NEWS

Mensaje por cacharreo »

Autor: Gomas48K
Fecha de publicación original: 21 Sep 2022, 22:21
Gomas48K escribió:
cacharreo escribió:Como partimos de que los ciclos en fw0.19 funcionaban bien, teniendo en cuenta que en versiones posteriores son muy poco más lentos, quizás por tiempos pudiera provocar un fallo de corrupción por un lento refresco de los bits en una memoria de 65536 bits pero con solo 16384 bits como las 4116 o hay un error gordo en el código (como una metedura de pata que no estaba en la versión fw0.19), o no sería achacable a la insignificante pérdida de velocidad en el refresco de la DRAM.
Como puede ser que haya tanta diferencia entre prototipos? Porque a @geloalex y a ti te van bien, el mio no... Tan críticos van los tiempos, que a una pequeña variación de un aparato a otro haga que falle? Tanta tolerancia hay entre componentes?
Eso puede ser un problema cuando se compren componentes en diferentes fuentes, para hacer los montajes de los aparatos finales.

La única diferencia significativa que tengo, es el diodo D1 (cara soldaduras) puenteado, porque me bajaba demasiado la alimentación.

Voltajes medidos en el zocalo ZIF con memoria 4116 puesta:
+5V - +4.69V.
+12V - +12.04V.
-5V - -4.69V.

Consumo general:
En reposo - 56mA.
Testeando - 66mA.

Pero no creo que una pequeña variación de voltajes entre equipos, pueda afectar tanto... no se.

Editado

Correción en la medida del zif +5V. bailé los numeros
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Re: Test de Memorias 4116, 4164 y 41464 - NEWS

Mensaje por cacharreo »

Autor: cacharreo
Fecha de publicación original: 22 Sep 2022, 04:24
Gomas48K escribió:¿Como puede ser que haya tanta diferencia entre prototipos? Porque a @geloalex y a ti te van bien, el mio no... Tan críticos van los tiempos, que a una pequeña variación de un aparato a otro haga que falle? Tanta tolerancia hay entre componentes?
Eso puede ser un problema cuando se compren componentes en diferentes fuentes, para hacer los montajes de los aparatos finales.
En efecto y por eso no descartamos nada. Hay que ver de dónde proceden las diferencias porque el resultado debe ser estable pero, antes de nada, creo que lo prudente es esperar a otras pruebas si es posible.
Gomas48K escribió:La única diferencia significativa que tengo, es el diodo D1 (cara soldaduras) puenteado, porque me bajaba demasiado la alimentación.
Es una diferencia importante porque los Nanos tienen una lógica TTL peculiar y si la bajada de tensión es suficiente para que confunda 0s con 1s ya estaría liada.
Gomas48K escribió:Voltajes medidos en el zocalo ZIF con memoria 4116 puesta:
+5V - 4.96V.
+12V - 12.04V.
-5V - -4.69V.

Consumo general:
En reposo - 56mA.
Testeando - 66mA.
Veo diferencias llamativas sobre todo en la corriente. En mi caso midiendo con el AT34, conectado entre el concentrador USB y el tester, con la memoria 4116 instalada en el ZIF, la tensión es de +4.9V-+5.0V y la corriente en reposo queda en el rango 33mA-35mA que se va a 36mA-38mA durante el test. Cambiando el AT34 con el tester a varios cargadores USB (15W, 18W, 100W) la tensión sube a +5.0 y +5.1V mientras que la corriente en reposo es de 47mA y de 51mA durante el test.
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Re: Test de Memorias 4116, 4164 y 41464 - NEWS

Mensaje por cacharreo »

Autor: geloalex
Fecha de publicación original: 22 Sep 2022, 05:53
geloalex escribió:En cuanto llegue a casa mido y posteo mis consumos y voltajes.
Lo que si esta claro es que los que se hagan para la tirada, se pidan los Nanos al mismo proveedor. También creo que una vez este la placa nueva se van a evitar estas placas con modificaciones , cortes y puentes y se minimizaran al máximo los errores propios de los prototipos que es lo que son , tenemos que pensar en que cuando estén funcionando tal como lo están haciendo , es de suponer que las nuevas generaciones o revisiones de placa , eliminaran de la ecuación los problemas derivados como interferencias , falsos contactos (propios de las tiras de pines hembra que algunos tenemos) así como errores propios de las modificaciones. Estamos en el buen camino , es cuestión de ir limando.
Por otro lado , algunas de las memorias a testear , no las tengo en stock , seria bueno de cara a las pruebas mas extensas el que disponga de unidades ceder temporalmente alguna unidad VALIDA (siendo responsabilidad por supuesto del Betatester el no joderla) y alguna unidad MALA y al final de las pruebas devolverlas .... es una sugerencia.
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Re: Test de Memorias 4116, 4164 y 41464 - NEWS

Mensaje por cacharreo »

Autor: cacharreo
Fecha de publicación original: 22 Sep 2022, 08:33
geloalex escribió:En cuanto llegue a casa mido y posteo mis consumos y voltajes.
Genial, va a ser curioso compararlos. Medir la tensión en el mismo ZIF (p.e. pines 13 y 20 con una 4116 situada en el zócalo) como ha hecho @Gomas48K quizás sea significativo, en mi tester cae casi 1V (+3.99V) respecto a la medida con el AT34.
geloalex escribió:Lo que si esta claro es que los que se hagan para la tirada, se pidan los Nanos al mismo proveedor.
Una solución ideal porque evitamos clones de Nano con diseños extraordinariamente creativos.

Sería terrorífico comparar las imágenes de rayos X de tantos y tantos clones con diferencias que pueden ser abismales. Visto lo visto ni siquiera me extrañaría que hubiera variaciones relevantes en la velocidad del reloj del microprocesador.
geloalex escribió:es de suponer que las nuevas generaciones o revisiones de placa, eliminaran de la ecuación los problemas derivados
Debería llevar hasta cápsula hermética para el agua bendita. ;)
geloalex escribió:Por otro lado , algunas de las memorias a testear , no las tengo en stock , seria bueno de cara a las pruebas mas extensas el que disponga de unidades ceder temporalmente alguna unidad VALIDA (siendo responsabilidad por supuesto del Betatester el no joderla) y alguna unidad MALA y al final de las pruebas devolverlas .... es una sugerencia.
Buena sugerencia. Añadiría que es muy fácil fastidiar una memoria por colocarla en el ZIF con los cables en J4 colocados para otro tipo, mucha atención a esto con los cambios, en especial de las 4116 a otras.
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Re: Test de Memorias 4116, 4164 y 41464 - NEWS

Mensaje por cacharreo »

Autor: Gomas48K
Fecha de publicación original: 23 Sep 2022, 10:24
Gomas48K escribió:
cacharreo escribió:
Gomas48K escribió: Voltajes medidos en el zocalo ZIF con memoria 4116 puesta:
+5V - 4.96V.
+12V - 12.04V.
-5V - -4.69V.

Consumo general:
En reposo - 56mA.
Testeando - 66mA.
Veo diferencias llamativas sobre todo en la corriente. En mi caso midiendo con el AT34, conectado entre el concentrador USB y el tester, con la memoria 4116 instalada en el ZIF, la tensión es de +4.9V-+5.0V y la corriente en reposo queda en el rango 33mA-35mA que se va a 36mA-38mA durante el test. Cambiando el AT34 con el tester a varios cargadores USB (15W, 18W, 100W) la tensión sube a +5.0 y +5.1V mientras que la corriente en reposo es de 47mA y de 51mA durante el test.
Mil disculpas... bailé los números de la medición del ZIF +5V.
Ya está corregido.
El voltaje correcto es +4.69V.
geloalex escribió:Por otro lado , algunas de las memorias a testear , no las tengo en stock , seria bueno de cara a las pruebas mas extensas el que disponga de unidades ceder temporalmente alguna unidad VALIDA (siendo responsabilidad por supuesto del Betatester el no joderla) y alguna unidad MALA y al final de las pruebas devolverlas .... es una sugerencia.
A mi también me vendría bien, Porque solo tengo Spectrum y el resto de memorias no las voy a usar en la vida.
Comprar un lote (suelen vender mínimo 10) es un gasto extra, que ya se me sale un poco de presupuesto.

También se puede hacer una compra conjunta entre los betatester y repartirnos un par de memorias de cada tipo... Siempre sería mas barato que comprar todos por separado.
cacharreo escribió:Debería llevar hasta cápsula hermética para el agua bendita. ;)
:))
cacharreo escribió:Añadiría que es muy fácil fastidiar una memoria por colocarla en el ZIF con los cables en J4 colocados para otro tipo, mucha atención a esto con los cambios, en especial de las 4116 a otras.
Yo solo tengo encima del banco de trabajo, las memorias del mismo tipo que voy a testear.
Cuando quiero cambiar de tipo, desconecto todos los cables de J4, guardo unas memorias y saco el siguiente tipo.
Es un método algo "infantil" pero bastante efectivo.
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Re: Test de Memorias 4116, 4164 y 41464 - NEWS

Mensaje por cacharreo »

Autor: cacharreo
Fecha de publicación original: 23 Sep 2022, 12:15
Gomas48K escribió:El voltaje correcto es +4.69V.
Son mejores números pero aún así la diferencia de consumo en mW es significativa (+20-70%).
Gomas48K escribió:También se puede hacer una compra conjunta entre los betatester y repartirnos un par de memorias de cada tipo... Siempre sería mas barato que comprar todos por separado.
Una interesantísima propuesta que suscribo.
Gomas48K escribió:Yo solo tengo encima del banco de trabajo, las memorias del mismo tipo que voy a testear.
Cuando quiero cambiar de tipo, desconecto todos los cables de J4, guardo unas memorias y saco el siguiente tipo.
Es un método algo "infantil" pero bastante efectivo.
El problema aparece cuando se coge confianza, hacer pruebas o cambios rápidos de unas a otras e ignorar que los cables están en J4. El método que propones aplicado sistemáticamente es muy efectivo.
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Versión 1.05c, esquemas, materiales y placa

Mensaje por cacharreo »

Autor: cacharreo
Fecha de publicación original: 23 Sep 2022, 12:24
Versión 1.05c

RAM tester
Imagen

Módulo de protección de pines
Imagen

Módulo de protección para el pin 1
Imagen

Módulo de protección para el pin 8
Imagen

Módulo convertidor DC-DC +5V-5V
Imagen

Módulo convertidor DC-DC HW-668
Imagen

Módulo de entrada (botonera)
Imagen

Módulo de salida (pantalla OLED 0.91"/0.96"/1.3") ⁽¹⁾
Imagen

Notas para el ensamblaje
- Se aconseja decidir de entrada si se va a utilizar o no un módulo HW-668.
- En caso negativo es muy recomendable montar (e incluso probar) el step-up DC-DC antes que el resto de componentes.
- Confirmar el sentido del diodo D31 antes de montar.
- Intentar soldar U31 a un máximo de 300ºC/10s.

Lista de componentes (109)
 Cantidad  Referencia  Valor 
1U31SX1308 SMD SOT-23-6 (opcional HW-668)
1R31200Ω 1/8W 1% SMD 0805 (opcional HW-668)
2C31,C3218µF 50V SMD 0805 (opcional HW-668)
1D31SS34 Rectificador Schottky 40V 3A SMD SMA (opcional HW-668)
5R4,R6,R8,R01,R0810kΩ 1/4W 1%
5R1,R2,R3,R5,R720kΩ 1/4W 1%
1D1SB140-T 40V 1A
19Z01,Z02,Z03,Z04,Z05,Z06,Z07,Z08,Z09,Z10,1N4733A 5.1V 1W
Z11,Z12,Z13,Z14,Z15,Z16,Z17,Z18,Z19
1F1Fusible rearmable PPTC 6V 250mA
19F01,F02,F03,F04,F05,F06,F07,F08,F09,F10,Fusible rearmable PPTC 6V 30mA
F11,F12,F13,F14,F15,F16,F17,F18,F19
1C3100nF 25V MLCC
1U3Zócalo de agujero redondo DIP-8
1C410µF 25V 4x7mm electrolítico
1C247µF 25V 5x11mm electrolítico
1C1220µF 25V 6.3x11.5mm electrolítico
1L314.7µH SMD LQ55DN (opcional HW-668)
1Q01BS250 TO-92-3
1Q082N7000 TO-92-3
4SW1,SW2,SW3,SW4◀,▶,↲,✓ (push tactile switches SPST 6x6x4.3mm) ⁽²⁾
1J1I2C/OUTPUT Pines hembra 1x05 2.54mm
1J1'I2C Pines hembra 1x04 2.54mm
1J2INPUT Pines macho 1x04 2.54mm
1J0ICSP Pines macho 2x03 2.54mm (opcional)
1J3POWER_RAIL Pines macho 1x04 2.54mm
1J3'POWER_RAIL Housing DuPont hembra 1x04 𝄩2.54mm (con el penúltimo pin bloqueado)
1J4POWER Pines macho 2x10 2.54mm
2J5Pines hembra de agujero redondo 1x15 2.54mm (para zócalo del Nano)
2J5'Pines macho de agujero redondo 1x15 2.54mm (para el Nano) ⁽³⁾
4J6,J7,J8,J9VIN+,VIN-,VOUT+,VOUT- Pin de latón 1.00mm (para fijar el módulo HW-668)
1JP5DCTRL Pines macho 1x02 2.54mm
1SW0Conmutador DPDT SK-22D07 (opcional)
1U2ZIF socket 20pos
1U3LMC7660 (montado sobre zócalo U3)
1HW-668Módulo compacto HW-668 (opcional)
1RV31Trimmer 10kΩ Bourns/Baoter 3/8" 3296W-1 (opcional HW-668)
1U1Arduino Nano (montado sobre zócalo J5) ⁽⁴⁾
1J1Pantalla OLED 0.91" I2C 128x32 píxeles amarilla, azul o blanca (sobre J1) (opción)
1J1'Pantalla OLED 0.96"/1.3" I2C 128x64 píxeles amarilla, azul o blanca (sobre J1') (opción)
1JP1Puente cerrado de 2 pines 2.54mm para habilitar los botones en INPUT
1JP2Puente cerrado de 2 pines 2.54mm para habilitar en JP5 los +5V en J3, J4, el zócalo ZIF y los conversores DC-DC
3W1,W2,W3Cables DuPont F-F 10cm para puentes entre POWER y -5V,+5V y +12V ⁽⁵⁾
1PCBPlaca VaDeRetro RAM Tester
5S1Tornillo de nylon M3 6mm negro
5S2Espaciador de nylon M3 10mm negro
1S3Espaciador de nylon M3 8mm con rosca de 6mm negro
1J3/3Pin de bloqueo ⁽⁶⁾
Lista de componentes del módulo HW-668 (ya incluida en la anterior)
 Cantidad  Referencia  Valor  Formato 
1R31200Ω 1/8W 1%0805
2C31,C3218µF 50V0805
1U31SX1308SOT-23-6
1D31SS34 Rectificador Schottky 40V 3ASMA
1L314.7µHLQ55DN
1RV31Trimmer 10kΩ Bourns/Baoter 3/8" 3296W-10.375" Trimpot 3 pins
Lista de componentes interactiva

Gerbers
Descargar

PCB
Imagen Imagen Imagen Imagen

Imagen Imagen Imagen

⁽¹⁾ Especial atención a las pantallas, deben ser II2 o I²C (algunas vienen sin interfaz, otras con 7 pines para SPI) y, por la buena salud de la pantalla y del tester, los 4 pines deben seguir el orden de J1 o J1'.
⁽²⁾ La altura del vástago en los botones debe ser diferente si se pretende montar el tester en una carcasa y estos quedan en la placa. Si se van a usar botones de panel, en la placa se sueldan los 2 pines inferiores en el lugar de cada botón.
⁽³⁾ Se pueden usar en su lugar pines DuPont hembra y macho convencionales pero el Arduino Nano quedará bastante más alto.
⁽⁴⁾ Arduino NANO R3 con ATMega328P a 16MHz, FTDI FT232RL, gestor de arranque "nuevo" (optiboot) y pines redondos.
⁽⁵⁾ Blanco, rojo y amarillo respectivamente.
⁽⁶⁾ DuPont Blocking Pin / AMP-LATCH Keying Plug TE 499712-1 / Harwin M20-003 Polarising Pin.
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Re: Test de Memorias 4116, 4164 y 41464 - NEWS

Mensaje por cacharreo »

Autor: cacharreo
Fecha de publicación original: 23 Sep 2022, 12:35
Este último diseño de placa incorpora como novedades los cambios en los pines del Nano y del ZIF/J4 correspondientes a las últimas modificaciones (1.02e, 1.02f,...) además de proporcionar más control sobre la alimentación en J3, J4 y el ZIF a través de la nueva tira 1x02 JP5 a la izquierda de J3, cuyos pines se pueden unir a gusto del consumidor mediante una soldadura o un jumper. Con JP5 abierto, no hay tensiones en J3, ni J4 ni en el ZIF.

El objetivo final no es poder habilitar/deshabilitar las tensiones en J3, J4 y el ZIF poniendo o quitando un jumper si no más bien dejar ese aspecto centralizado en un punto (JP5) quedando el diseño preparado para que si en el futuro hallamos la forma de añadir cierta lógica de control, el tester automáticamente pueda realizar la conmutación (con solo añadir un MOSFET y sus resistencias).
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Re: Test de Memorias 4116, 4164 y 41464 - NEWS

Mensaje por cacharreo »

Autor: Gomas48K
Fecha de publicación original: 23 Sep 2022, 13:40
Gomas48K escribió:Perfecto , tiene buena pinta. :-]
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